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Silicon Motion(SIMO)-慧榮科技最新PCIe NVMe SSD控制晶片,超效能表現引領主流巿場 2018-07-04
慧榮科技最新PCIe NVMe SSD控制晶片,超效能表現引領主流巿場

最新SM2262EN展現極致效能,循序讀寫速度高達3,500 MB/s和3,000 MB/s

全球快閃記憶體控制晶片領導品牌慧榮科技(NasdaqGS: SIMO)於Computex Taipei推出一系列最新款PCIe SSD控制晶片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3規範,並以現場實測展現証實其極致效能,為PCIe SSD定義新標準。慧榮科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制晶片解決方案,來滿足全方位巿場需求,包括專為超高速Client SSD設計的SM2262EN、為主流SSD市場開發的SM2263EN,以及適用於BGA SSD的SM2263XT DRAM -Less控制晶片。

全系列均採用慧榮獨有的韌體技術,包括端到端資料路徑保護、SRAM ECC、結合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtendTM ECC技術,支援全線最新3D TLC和QLC NAND,提供最完整及最穩定的資料保護,滿足儲存設備所需的高效穩定的需求。

SM2262EN適用於超高速PCIe SSD的解決方案SM2262EN超高效能SSD控制晶片解決方案,支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3規範和8個NAND通道設計。以最新獨有的韌體技術,有效提升讀寫效能,最大循序讀取速度高達3.5GB/s,循序寫入速度達3.0GB/s,隨機讀寫則高達420K IOPS和420K IOPS。

更採用目前最先進的低功耗設計,無論是在待機還是在工作狀態下,均展現超低功耗,有效減少30%的功耗,滿足專業用戶追求超高效能低功耗的嚴苛要求。

SM2263EN/SM2263XT適用於主流PCIe SSD解決方案SM2263EN和SM2263XT支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3規範和4個NAND通道設計,並提供完整韌體設計,滿足主流市場的需求。 SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制晶片,支援主機記憶體緩衝區(HMB)架構,有效運用系統緩存區,可提升讀寫速度,並可封裝成適用於Tablet PC 11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT最大循序讀取速度達2.4GB/s,最大循序寫入速度達1.7GB/s,符合消費性Client SSD的經濟效益需求,為主流巿場新標配。

另一最新款的圖形顯示晶片:

支援4K超高畫質的顯示晶片:
SM768圖形顯示晶片慧榮最新的SM768圖形顯示晶片能支援4K的超高解析度(UHD),同時擁有USB及PCIe接口,並支援多屏幕應用,提供性能極佳的圖形及影像顯示解決方案。 SM768圖形顯示晶片內建慧榮科技獨家研發的內容自我調整技術(Content Adaptive Technology;CAT),可降低CPU (中央處理器)20%~65%的使用率,不但解決嵌入式系統的長期以來因繪圖晶片資料過大,導致因CPU負載過高拖慢整體系統效能的問題,同時也讓顯示效能大幅提升。 SM768晶片本身的體積僅有19mm X 19mm,整體設備的體積設計可以更小、更易於攜帶,同時低耗電特色帶來低熱度系統,設計者可省去散熱鰭片的成本與空間。



資料來源:https://goo.gl/AJPvhu
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